TLP250特點:
TOSHIBA TLP250由GaAlAs發光二極管和a組成
集成光電探測器。
該單元采用8引腳DIP封裝。
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TLP250引腳功能及應用電路圖

時間:2019-07-26 09:55:53來源:容源電子網 作者:電子愛好者 點擊:
TLP250引腳功能及應用電路圖
TLP250特點:
TOSHIBA TLP250由GaAlAs發光二極管和a組成
集成光電探測器。
該單元采用8引腳DIP封裝。
TLP250適用于IGBT或功率MOS FET的柵

TLP250引腳功能及應用電路圖


TLP250特點:
TOSHIBA TLP250由GaAlAs發光二極管和a組成
集成光電探測器。
該單元采用8引腳DIP封裝。
TLP250適用于IGBT或功率MOS FET的柵極驅動電路。
•輸入閾值電流:5mA(最大值)
•供電電流:11mA(最大值)
•電源電壓:10  -  35V
•輸出電流:±1.5A(最大值)
•切換時間t pLH / t pHL):0.5μs(最大值)
•隔離電壓:2500V rms(min)
•UL認可:UL1577,文件號E67349

TLP250引腳功能


 

 

TLP250的使用特點:

①TLP250輸出電流較小,對較大功率IGBT實施驅動時,需要外加功率放大電路;

②由于流過IGBT的電流是通過其他電路檢測來完成的,而且僅僅檢測流過IGBT的電流,這就有可能對于IGBT的使用效率產生一定的影響,比如IGBT在安全工作區時,有時出現的提前保護等;

③要求控制電路和檢測電路對于電流信號的響應要快,一般由過電流發生到IGBT可靠關斷應在10μS以內完成;

④當過電流發生時,TLP250得到控制器發出的關斷信號,對IGBT的柵極施加一負電壓,使IGBT硬關斷。這種主電路的du/dt比正常開關狀態下大了許多,造成了施加于IGBT兩端的電壓升高很多,有時就可能造成IGBT的擊穿。

TLP250應用電路圖

 

 

TLP250應用電路圖1


TLP250應用電路圖2

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本文地址:http://www.ntqgl.tw/ic/TLP250_0958.shtml

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